☆☆☆Web配信セミナー☆☆☆
『半導体技術におけるウェットプロセスの
基礎、制御とトラブル対策』
〜洗浄、エッチング、めっき、陽極酸化技術、処理装置〜
S220128AW
☆☆☆本セミナーは、Zoomを使用して、行います。☆☆☆
開催日時：2022年1月28日（金）10:30-16:30
受 講 料：お1人様受講の場合 51,700円[税込]／1名
1口でお申込の場合 62,700円[税込]／1口（3名まで受講可能）
★本セミナーの受講にあたっての推奨環境は「Zoom」に依存しますので、ご自分の環境が対応しているか、
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講義の中断、さらには、再接続後の再開もありますが、予めご了承ください。
★受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。
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河合 晃（かわいあきら） 氏
国立大学法人長岡技術科学大学大学院 電気電子情報工学専攻 電子デバイス・フォトニクス工学講座 教授（博士（工学））
/ アドヒージョン株式会社 代表取締役（兼務）
| ＜経歴、等＞ |
三菱電機株式会社ULSI研究所にて10年間勤務し、電子デバイス開発・試作・量産移管・歩留り・工場管理の業務に従事し、半導体デバイスの高精度なコーティングおよび表面処理技術開発に従事した。その後、長岡技術科学大学にて勤務し、機能性薄膜、表面界面制御、ナノデバイスなどの先端分野の研究を実施している。
各種論文査読委員、NEDO技術委員、国および公的プロジェクト審査員などを歴任。大学ベンチャー企業として、アドヒージョン（株）代表取締役を兼務。著書33件、受賞多数、原著論文166報、国際学会124件、特許多数、講演会200回以上、日本接着学会評議員、応用物理学会会員、産学連携・技術コンサルティング実績150社以上。 |
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半導体ウェットプロセスは、処理能力の高さ、および半導体製品の歩留まりに直結しているため、重要なキーテクノロジーとして位置づけられています。
本セミナーでは、長年、講師が先端半導体製品の開発製造に携わった経験から、半導体ウェットプロセスに注目し、ユーザー視点に基づいて、半導体洗浄、ウェットエッチング、めっき、陽極酸化技術、各処理装置の要点とノウハウを丁寧に解説します。各ウェットプロセスの基礎メカニズムに重点を置きながら、高精度化、トラブル対策について解説します。ウェットプロセスの基盤技術となる濡れ・表面エネルギーについても詳しく解説します。また、受講者が抱えている日頃の研究開発および現場トラブルに関する相談にも個別に対応します。
受講対象者として、半導体製造、薬剤、素材、装置メーカ関連の技術者、営業・マーケッティング担当者などを想定しています。セミナー受講後、半導体デバイス製造におけるクリーン化技術の基礎、ウェットエッチングの基礎、めっき技術の基礎、陽極酸化法の基礎、コントロール要因、加工制御技術、および製品の歩留まり向上や品質改善および技術開発における基盤技術を習得できます。
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1 ウェットプロセス技術と半導体デバイス
1.1 ウェットプロセスと半導体産業（特長と歩留まり改善効果）
1.2 プロセス概論（洗浄、エッチング、めっき、陽極酸化）
1.3 処理装置（液循環、ディップ、シャワー、スピンエッチ、フィルタリング）
2 ウェットプロセスを支配する基礎理論
2.1 濡れ性の基礎（ピンニング現象、Laplace、Young、Wenzel、Cassie、Newmanの各式）
2.2 表面（付着）エネルギーと分散/極性成分マップ（Dupre、Fowksの各式）
2.3 界面への浸透機構（拡張濡れエネルギーS、円モデル）
2.4 溶存ガス／気泡の性質（脱離、合一、溶解）
2.5 腐食溶解（ポテンシャル−ｐH電位図）
2.6 機能水の性質（液中酸化と高抵抗率化）
2.7 ゼータ電位とpH制御（溶液中の帯電）
2.8 乾燥痕対策（マランゴニー対流、IPA蒸気乾燥）
3 ウェットプロセス各論
3.1 ウェット洗浄技術
3.1.1 RCA洗浄（重金属除去、酸化還元電位）
3.1.2 ファイン粒子の吸着力（Hertz理論、JKR理論、DMT理論）
3.1.3 微粒子間の引力（Derjaguin近似、凝集ルール）
3.1.4 溶液中の粒子付着と除去（DLVO理論）
3.1.5 液体ラプラス力（液膜による凝集力）
3.1.6 DPAT技術（AFMによる剥離力の直接測定）
3.2 ウェットエッチング技術
3.2.1 加工技術としての位置づけ（設計値とシフト量）
3.2.2 基本プロセスフロー（前処理、表面洗浄、エッチング液、マスク除去、洗浄）
3.2.3 プロセス支配要因（濡れ、律速、反応速度、エッチング機構）
3.2.3 等方性/結晶異方性エッチング（アンダーカット、結晶方位依存性）
3.2.4 マスク剤の最適化（エッチング耐性、熱だれ、応力）
3.2.5 形状コントロール要因（界面濡れ性、応力集中、液循環、マスク耐性）
3.3 めっき技術
3.3.1 CuおよびNiめっき（電解、無電解めっき）
3.3.2 レジストマスクの変形対策（熱だれ、環境応力亀裂）
3.3.3 シーズ層形成（核生成促進）
3.3.4 気泡対策（ブリスター、膜剥がれ）
3.3.5 エッジ対策（界面浸透抑制）
3.4 陽極（アノード）酸化技術
3.4.1 半導体／金属の陽極酸化
3.4.2 プローブ法（絶縁パターン形成）
3.4.3 陽極酸化被膜の性質（体積膨張／ポーラス、バリア性）
4 質疑応答
5 参考資料
＊濡れ／乾燥トラブルQ&A事例集（トラブルの最短解決ノウハウ）
＊表面エネルギーによる濡れ・付着性解析（測定方法）
