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※本セミナーはZoomを使ったWEBセミナーです。在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。
『フォトレジスト材料の基礎と材料設計およびその評価【LIVE配信】』
要求特性とそれを達成するための材料設計からトラブルシューティングまで |
| 開催日時 |
2025年7月16日（水） 13:00～17:00 |
| 開催場所 |
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。
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| 価格 |
非会員： 49,500円 （本体価格：45,000円）
会員： 44,000円 （本体価格：40,000円）
学生： 49,500円 （本体価格：45,000円）
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| 価格関連 |
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
・1名で申込の場合、44,000円（税込）へ割引になります。
・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
・3名以上での申込は1名につき24,750円
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| 備 考 |
・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
１）Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
２）セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
３）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。
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| 主 催 |
R&D支援センター |
※請求書、招待メール等は、R&D支援センター社より送付いたします。
| 講師 |
東北大学 マイクロシステム融合研究会 ( μSIC ) 講師 山田 達也 氏
【講師経歴】
1989年 姫路工業大学 (現兵庫県立大学) 修士課程 卒業
同年 ナガセ電子化学 (現ナガセケムテックス) 入社
2022年 ナガセケムテックス退職
2024年 東北大学 マイクロシステム融合研究会 ( μSIC ) 講師就任
2025年 大阪産業技術総合研究所 Beyond 5G ワーキンググループ幹事就任
【研究歴】
ポジ・ネガ型フォトレジスト、層間絶縁膜、オーバーコート材
【所属学会】
MEF 学会、マイクロシステム融合研究会、
大阪産業技術総合研究所 Beyond 5G ワーキンググループ
【著書】
「半導体製造プロセス材料とケミカルス」 |
習得できる
知識 |
フォトリソグラフィプロセス
フォトリソグラフィ加工用装置
フォトレジスト区分と適用される原料構造
フォトレジストに求められる要求特性
フォトレジスト用原料の構造設計
フォトレジストの光化学反応とフォーミュレーション
フォトレジスト評価方法
フォトリソグラフィが適用されるアプリケーション
フォトレジストトラブルシューティング
これから求められるフォトレジスト |
| 趣旨 |
半導体用の微細加工用に適用されるフォトレジストは、半導体の黎明期には、数十um程度であったモノが、半導体素子の高性能化に伴い、昨今では、数nm レベルの加工に至っている。また、フォトレジストが、ディスプレイ、車載デバイス、通信デバイスに適用されるようになり、その使用法と要求特性は微細化のみならず、多様性を極めている。
特に、シンギュラリティの実現に伴い、今後必要とされる高性能な5感センサー、ソフトロボトロニクス、高速 (移動) 通信用のデバイスにおいては、従来のアプリケーション向けフォトレジストとは、更に特殊な要求が求められる事となっている。
今回の講演では、フォトレジストに求められる要求特性とそれを達成するための材料設計をメインにフォトレジストとはどういうモノであるかについて具体的に紹介する
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| プログラム |
１．フォトレジスト材料
1-1.フォトレジストとは
1-2.光化学反応に基づく4つのカテゴリー
1-3.各カテゴリーにおける代表的な原料と光化学反応
1-4.パターニングが出来る理由
２．フォトレジスト材料の歴史探索に基づく使用原料紹介
2-1.フォトレジストの開発の歴史は、露光波長へのマッチングの歴史
2-2.世界最初のネガ型フォトレジスト？
2-3.天然原料由来ネガ型フォトレジスト
2-4.工業原料によるネガ型フォトレジスト
2-5.工業原料によるポジ型フォトレジストPACからPAGへ
2-6.EB露光用フォトレジスト
2-7.X線露光~EUVL露光用フォトレジスト
３．露光機世代別フォトレジスト原料
3-1.露光波長別フォトレジスト原料と光化学反応
3-2.G~I線露光用ポジ型フォトレジスト原料
3-2-1.G~I線露光用ポジ型フォトレジスト原料構成
3-2-2.ノボラック樹脂の合成方法と構造特性
3-2-3.バラスト化合物の構造特性
3-2-4.感光剤の構造特性
3-2-5.各種添加剤(増感剤、界面活性剤)
3-2-6.溶剤の構造特性
４．フォトレジストの評価方法
4-1.フォトレジストの使用プロセスと装置・性能評価判定
4-1-1.基板
4-1-2.塗布
4-1-3.ベーク
4-1-4.露光
4-1-5.PEB
4-1-5.現像・リンス
4-1-6.ポストベーク
4-1-7.ウェットエッチング
4-1-8.ドライエッチング
4-1-9.イオンインプラ
4-1-10.めっき
4-1-11.リフトオフ
4-1-12.犠牲層・構造化
4-1-13.その他
4-2.フォトレジストの性能評価判定
５．フォトレジストが適用されるアプリケーション
5-1.半導体FEOL・MEOL・BEOL
5-2.ディスプレイ配線加工
5-3.ディスプレイCR、BM、オーバーコート
5-4.マスク・レチクル
5-5.化合物半導体
5-6.パワーモジュール(車載・エナジーハーベスト)
5-7.MEMSセンサー
5-8.高速(移動)通信
5-9.通信デバイス
5-10.受発光素子
5-11.その他
６．フォトレジストのトラブルシューティング
6-1.塗布
6-2.ベーク
6-3.露光
6-4.PEB
6-5.現像・リンス
6-6.その他
6-7.フォトレジストのトラブルが発生する理由
７．これからのフォトレジスト
スケジュール
※ご質問は随時チャット形式で受け付けます。また音声でも可能です。
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